创维半导体设计大厦楼盘资料

以下为创维半导体设计大厦楼盘资料，包含竣工时间、建筑楼层、开发商或物业单位及具体地理位置。

• 类型：写字楼（甲级）
• 竣工年月：2010-08
• 楼层：24层
• 开发商/物业：创维物业
• 地理位置：广东省深圳市南山区高新南四道18号创维半导体设计大厦

项目说明

位于深圳市南山区高新技术产业园南区高新南一道，由创维集团有限公司投资开发建设，总建筑面积约12.45万平方米，由东座、西座两栋24层塔楼及5层裙楼组成，是集产品研发、科技展示与商务办公于一体的综合性科技园区。

东、西座塔楼地上24层、地下3层，建筑高度99.8米，标准层面积约1,628平方米，使用率70%至80%，荷载250KG。写字楼大堂高10米，2至5层标准层高4.5米，6至24层标准层高4米；商业1楼层高5.7米，2至5楼层高4.5米，荷载350KG。外墙采用金属铝板与玻璃幕墙，配备瑞士迅达电梯共23台（垂直升降梯21台、扶梯2台），设有时尚餐厅、精品咖啡厅、特色餐饮等多种商业配套。

地铁1号线高新园站D出口步行约400米即达，紧邻深南大道与科苑路交汇处，公交线路密集，交通便利。周边汇聚TCL、联想、飞亚达、长虹等知名科技企业总部，产业氛围浓厚，由创维集团自有物业公司提供专业管理，是科技园南区高品质的甲级写字楼代表。

创维半导体设计大厦位于深圳市南山区高新南四道18号创维半导体设计大厦，地铁直达。大厦提供100至2430平方米写字楼招租，精装与毛坯可选，租金优惠。页面包含物业参数、交通位置、周边配套及实景照片。招租电话136-7086-0171。

资料来源：晨翌地产；项目入口：https://chuangweibandaotishejidasha.chenyidz.com